氟硅酸根離子在鍍鉻電解液中有什么作用?
答:氟(fu)硅酸根(gen)離子在(zai)(zai)鍍(du)(du)鉻(ge)(ge)(ge)(ge)過(guo)程中(zhong)起著與硫(liu)酸根(gen)離子相類(lei)似的(de)作用，除此之(zhi)外，它(ta)還具有某些方面(mian)的(de)特點。例如(ru)鉻(ge)(ge)(ge)(ge)層(ceng)容(rong)易鈍化(hua)，在(zai)(zai)鍍(du)(du)鉻(ge)(ge)(ge)(ge)過(guo)程中(zhong)因電(dian)流中(zhong)斷或進行(xing)(xing)二次(ci)鍍(du)(du)鉻(ge)(ge)(ge)(ge)(不另(ling)加(jia)其它(ta)措施)時，所(suo)獲得的(de)鍍(du)(du)層(ceng)為乳白(bai)而無光(guang)澤。但(dan)是在(zai)(zai)有氟(fu)硅酸根(gen)離子存在(zai)(zai)下，它(ta)具有使(shi)鉻(ge)(ge)(ge)(ge)層(ceng)表面(mian)活(huo)化(hua)的(de)作用，當電(dian)流中(zhong)斷或二次(ci)鍍(du)(du)鉻(ge)(ge)(ge)(ge)時，仍(reng)能獲得光(guang)亮(liang)的(de)鉻(ge)(ge)(ge)(ge)層(ceng)。又如(ru)小(xiao)零件(jian)滾鍍(du)(du)鉻(ge)(ge)(ge)(ge)，如(ru)果(guo)在(zai)(zai)一般標準鍍(du)(du)鉻(ge)(ge)(ge)(ge)液(ye)內進行(xing)(xing)，就難于獲得光(guang)亮(liang)的(de)鉻(ge)(ge)(ge)(ge)層(ceng)，滾鍍(du)(du)鉻(ge)(ge)(ge)(ge)液(ye)內通(tong)常含(han)有氟(fu)硅酸根(gen)就是這個道理。
一般采用(yong)氟(fu)硅(gui)(gui)酸(suan)或氟(fu)硅(gui)(gui)酸(suan)鈉來提供氟(fu)硅(gui)(gui)酸(suan)根離子。
氟硅酸根離子(zi)另一特點是能在(zai)低溫(18～25℃)低電流(liu)(liu)密度(2～2.5A/d㎡)下(xia)獲得光亮的鉻層。當溫度達45℃時，可獲得光亮鉻層的電流(liu)(liu)效(xiao)率為19～21%，而在(zai)標準(zhun)鍍鉻液(ye)中則為13%。
含有氟(fu)硅酸根(gen)(gen)離子的(de)電(dian)(dian)解(jie)液(ye)，隨著溫度上(shang)升，其工(gong)作(zuo)范圍比含有硫酸根(gen)(gen)離子的(de)電(dian)(dian)解(jie)液(ye)為寬。
氟(fu)(fu)硅酸(suan)根離(li)(li)子(zi)(zi)的(de)(de)(de)主要缺(que)點是對工件、鍍(du)槽(cao)、陽(yang)極的(de)(de)(de)腐蝕性大，槽(cao)液(ye)(ye)維護要求(qiu)高。當鍍(du)液(ye)(ye)含有3克/升(sheng)以(yi)上的(de)(de)(de)鐵離(li)(li)子(zi)(zi)時，就會嚴重影響鉻層的(de)(de)(de)光澤與鍍(du)液(ye)(ye)的(de)(de)(de)分散(san)能力(li)，降低工作范圍及電流效率。因此若(ruo)以(yi)氟(fu)(fu)硅酸(suan)根離(li)(li)子(zi)(zi)完全(quan)代替硫酸(suan)根離(li)(li)子(zi)(zi)的(de)(de)(de)鍍(du)鉻電解液(ye)(ye)，由于(yu)上述的(de)(de)(de)缺(que)陷，不能長期很好地生(sheng)產。而采用(yong)氟(fu)(fu)硅酸(suan)根和硫酸(suan)根離(li)(li)子(zi)(zi)配合的(de)(de)(de)鍍(du)鉻電解液(ye)(ye)，應用(yong)較(jiao)廣(guang)。
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